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数量:152 |
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| 规格书 |
 IPx076N12N3 G |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 120V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 100A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 7.6 mOhm @ 100A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 130µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 101nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 6640pF @ 60V |
| 功率 - 最大 | 188W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 供应商器件封装 | PG-TO262-3 |
| 包装材料 | Tube |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 100A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 130µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 120V |
| 供应商设备封装 | PG-TO262-3 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 7.6 mOhm @ 100A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 188W |
| 标准包装 | 500 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 6640pF @ 60V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 101nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 100 A |
| 封装/外壳 | TO-262-3 |
| 零件号别名 | IPI076N12N3GAKSA1 SP000652738 |
| 下降时间 | 10 nS |
| 安装风格 | Through Hole |
| 商品名 | OptiMOS |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 典型关闭延迟时间 | 39 nS |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 系列 | IPI076N12 |
| RDS（ON） | 7.6 mOhms |
| 功率耗散 | 188 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 上升时间 | 50 nS |
| 漏源击穿电压 | 120 V |
| 栅极电荷Qg | 76 nC |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 120 V |
| 宽度 | 4.5 mm |
| Qg - Gate Charge | 76 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 100 A |
| 长度 | 10.2 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 7.6 mOhms |
| 身高 | 9.45 mm |
| Pd - Power Dissipation | 188 W |
| 技术 | Si |
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